品牌介绍
Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案，并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成，广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥31.75287 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.75287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥294.51080 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥294.51080 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥103.81973 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥103.81973 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11) | ¥71.96870 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥71.96870 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-VSOP | ¥542.39181 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥542.39181 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥84.00315 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.00315 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-VSOP | ¥33.36080 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.36080 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥60.28990 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.28990 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥45.60130 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.60130 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12) | ¥40.77753 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.77753 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥50.88862 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.88862 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥93.72313 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥93.72313 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12) | ¥25.21978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.21978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-VSOP | ¥21.38104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.38104 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥67.35897 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.35897 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥5.18592 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.18592 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 | ¥37.11262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.11262 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12) | ¥150.62335 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥150.62335 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥95.36002 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.36002 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-WFBGA (12x12) | ¥113.68456 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.68456 | 添加到BOM 立即询价 |