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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W29GL128CL9T
W29GL128CL9T
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥30.42018

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5-7 工作日

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合计: ¥30.42018

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W29GL128CH9B
W29GL128CH9B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥54.87221

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合计: ¥54.87221

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W29GL064CB7S
W29GL064CB7S
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥16.86147

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合计: ¥16.86147

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W29GL064CB7A
W29GL064CB7A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥39.89389

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合计: ¥39.89389

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W9816G6IH-6
W9816G6IH-6
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥89.93654

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合计: ¥89.93654

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W9816G6IH-6I
W9816G6IH-6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥17.88996

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合计: ¥17.88996

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W972GG6JB-3
W972GG6JB-3
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (11x13)

¥77.58595

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合计: ¥77.58594

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W972GG6JB-3I
W972GG6JB-3I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (11x13)

¥551.15572

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合计: ¥551.15572

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W25Q64FVSFIG
W25Q64FVSFIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥23.33662

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合计: ¥23.33662

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W29GL128CL9B
W29GL128CL9B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥45.36953

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合计: ¥45.36953

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W29GL064CT7S
W29GL064CT7S
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥88.94281

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合计: ¥88.94281

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W29GL032CT7S
W29GL032CT7S
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥85.39379

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W29GL032CB7S
W29GL032CB7S
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥19.81031

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W29GL032CB7A
W29GL032CB7A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥96.47543

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合计: ¥96.47543

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W9751G6KB-25
W9751G6KB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5)

¥11.05122

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2-3 工作日

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W948D6FBHX5E
W948D6FBHX5E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥30.15944

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W25Q80BWSNIG
W25Q80BWSNIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥51.65636

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W25Q80BWZPIG
W25Q80BWZPIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥30.85475

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W25Q16DWSSIG
W25Q16DWSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥11.03818

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W25Q32FWZPIG
W25Q32FWZPIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

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