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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W632GU6KB12I
W632GU6KB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥40.47333

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5-7 工作日

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合计: ¥40.47333

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W632GU6KB-15
W632GU6KB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥38.57569

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5-7 工作日

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合计: ¥38.57569

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W632GU6KB15I
W632GU6KB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥128.86568

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5-7 工作日

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合计: ¥128.86568

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W632GU8KB-12
W632GU8KB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥88.33441

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5-7 工作日

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合计: ¥88.33441

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W632GU8KB12I
W632GU8KB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥5.17143

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W632GU8KB-15
W632GU8KB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥19.39649

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合计: ¥19.39649

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W632GU8KB15I
W632GU8KB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥33.23043

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合计: ¥33.23042

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W631GG8KB12I
W631GG8KB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥51.29422

0

5-7 工作日

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合计: ¥51.29422

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W631GU8KB-12
W631GU8KB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥13.52974

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5-7 工作日

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合计: ¥13.52974

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W631GU8KB12I
W631GU8KB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥28.21834

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5-7 工作日

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合计: ¥28.21834

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W631GU8KB-15
W631GU8KB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥49.25172

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合计: ¥49.25172

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W631GU8KB15I
W631GU8KB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥41.58873

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W632GG8KB12I
W632GG8KB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥72.41451

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5-7 工作日

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合计: ¥72.41451

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W29N01GZDIBA
W29N01GZDIBA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x6.5)

¥56.29182

0

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合计: ¥56.29182

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W98AD6KBGX6I
W98AD6KBGX6I
1GB MSDR X16 166MHZ IND

¥29.71038

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合计: ¥29.71038

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W966D6HBGX7I
W966D6HBGX7I
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8)

¥27.79825

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合计: ¥27.79825

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W632GG6MB-12
W632GG6MB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥309.02557

0

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合计: ¥309.02557

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W25Q40EWSSIG
W25Q40EWSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥131.57452

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合计: ¥131.57452

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W25Q80DLSVIG
W25Q80DLSVIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VSOP

¥43.84852

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合计: ¥43.84852

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W25Q80EWSSIG
W25Q80EWSSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥55.26333

170

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