Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13) | ¥40.47333 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.47333 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13) | ¥38.57569 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.57569 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13) | ¥128.86568 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.86568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥88.33441 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.33441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥5.17143 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.17143 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥19.39649 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.39649 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥33.23043 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.23042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥51.29422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.29422 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥13.52974 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.52974 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥28.21834 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.21834 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥49.25172 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.25172 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥41.58873 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.58873 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8) | ¥72.41451 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.41451 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (8x6.5) | ¥56.29182 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.29182 | 添加到BOM 立即询价 | ||
1GB MSDR X16 166MHZ IND | ¥29.71038 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.71038 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (6x8) | ¥27.79825 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.79825 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13) | ¥309.02557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥309.02557 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥131.57452 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.57452 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VSOP | ¥43.84852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.84852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥55.26333 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.26333 | 添加到BOM 立即询价 |