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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W25Q64CVZEIG
W25Q64CVZEIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥37.46028

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5-7 工作日

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合计: ¥37.46028

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W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥21.67076

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合计: ¥21.67076

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W25Q32FVSFIQ
W25Q32FVSFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥484.73833

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合计: ¥484.73833

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W25Q32FVTBIG
W25Q32FVTBIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥888.31271

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合计: ¥888.31271

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W631GG6MB-11
W631GG6MB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥159.83632

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W631GG6MB-15
W631GG6MB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥18.88548

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W631GG8MB-11
W631GG8MB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (10.5x8)

¥23.24690

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W631GG8MB-12
W631GG8MB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (10.5x8)

¥23.24690

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W631GG8MB-15
W631GG8MB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (10.5x8)

¥23.24690

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W631GU6MB-11
W631GU6MB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥23.24690

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W631GU6MB-15
W631GU6MB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥23.24690

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W631GU8MB-12
W631GU8MB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (10.5x8)

¥23.24690

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W631GU8MB-15
W631GU8MB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (10.5x8)

¥23.24690

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2-3 工作日

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W631GG6KS-12
W631GG6KS-12
IC SDRAM 1GBIT 96BGA

¥31.26036

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W631GU6KB-11
W631GU6KB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥10.09660

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5-7 工作日

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W25Q128JVAIQ
W25Q128JVAIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP

¥10.61809

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5-7 工作日

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W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWSNIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥84.09731

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5-7 工作日

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W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥63.50575

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W632GG6MB-09
W632GG6MB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1066兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥23.48148

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W632GG6MB-11
W632GG6MB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥86.76994

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