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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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操作
W632GU8MB-11
W632GU8MB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥58.43572

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5-7 工作日

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合计: ¥58.43572

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W632GU8MB-12
W632GU8MB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥14.83346

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5-7 工作日

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合计: ¥14.83346

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W632GU8MB12I
W632GU8MB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥29.55103

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5-7 工作日

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合计: ¥29.55103

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W632GU8MB-15
W632GU8MB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥61.78194

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合计: ¥61.78194

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W632GU8MB15I
W632GU8MB15I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥22.97448

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合计: ¥22.97448

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W632GG6AB-12
W632GG6AB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz

¥65.15713

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合计: ¥65.15713

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W632GG6AB-15
W632GG6AB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz

¥845.53615

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5-7 工作日

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合计: ¥845.53615

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W632GG6KB-09
W632GG6KB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1066兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥51.83019

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5-7 工作日

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合计: ¥51.83019

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W632GG6KB11I
W632GG6KB11I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥70.25613

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5-7 工作日

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合计: ¥70.25613

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W632GG6KB12J
W632GG6KB12J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥46.64428

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合计: ¥46.64428

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W632GG6KB15J
W632GG6KB15J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥29.17440

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W632GG6KB-18
W632GG6KB-18
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13)

¥142.55476

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合计: ¥142.55476

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W632GG8AB-11
W632GG8AB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥35.09909

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合计: ¥35.09909

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W632GG8AB-12
W632GG8AB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥33.76640

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合计: ¥33.76640

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W632GG8AB-15
W632GG8AB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥115.03174

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合计: ¥115.03174

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W632GG8KB-09
W632GG8KB-09
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1066兆赫 供应商设备包装: 78-WBGA (10.5x8)

¥886.64685

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合计: ¥886.64685

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W632GU6AB-11
W632GU6AB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫

¥551.37301

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5-7 工作日

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合计: ¥551.37301

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W632GU6AB-12
W632GU6AB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz

¥8.64802

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W25Q128BVBJG
W25Q128BVBJG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥26.97256

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合计: ¥26.97256

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W25Q128BVBJP
W25Q128BVBJP
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥120.75363

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