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品牌介绍

GigaDevice于2005年在硅谷成立,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,从事先进的存储技术和IC解决方案。该公司已于2016年成功完成在上海证券交易所的首次公开募股。GigaDevice提供多种高性能闪存和32位通用MCU产品。它是率先开发SPI或闪存的公司之一,目前在这一细分市场中排名世界第三,每年出货量超过10亿台。

英文全称: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

中文全称: 兆易创新

英文简称: GigaDevice

品牌地址: http://www.gigadevice.com/

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GD25LQ20CEIGR
GD25LQ20CEIGR
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

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GD25Q16CWIGR
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

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GD25LQ80CTIGR
GD25LQ80CTIGR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.65伏~2.1伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3)

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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.1伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

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GD25VE32CVIGR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.1伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-VSOP

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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-LGA (6x8)

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GD25Q64CPIG
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 120兆赫 供应商设备包装: 8-DIP

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GD25VQ80CSIG
GD25VQ80CSIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

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