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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UMH8NTR
UMH8NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

¥3.18688

2280

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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EMB61T2R
EMB61T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.49201

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,936.08000

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EMB75T2R
EMB75T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.49201

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,936.08000

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EMD59T2R
EMD59T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.49201

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,936.08000

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EMH3T2R
EMH3T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

600

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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EMH75T2R
EMH75T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.49201

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,936.08000

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EMG9T2R
EMG9T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥0.60971

190

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.60971

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EMH59T2R
EMH59T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

¥0.51077

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.51077

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EMA4T2R
EMA4T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥0.49614

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,969.11200

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EMH25T2R
EMH25T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.48499

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.48499

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EMG6T2R
EMG6T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥0.49614

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,969.11200

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EMA3T2R
EMA3T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥0.49614

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,969.11200

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IMB10AT110
IMB10AT110
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥3.54902

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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EMB3T2R
EMB3T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.79010

8000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.79010

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IMH21T110
IMH21T110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

¥0.92239

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.92239

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EMH60T2R
EMH60T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.96959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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EMD6T2R
EMD6T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.19339

560

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19339

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UMD6NTR
UMD6NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.17818

809

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17818

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UMD3NTR
UMD3NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.15645

2753

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15645

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EMH4T2R
EMH4T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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