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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UMG1NTR
UMG1NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥2.82473

8946

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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UMH3NTN
UMH3NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.46165

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.46165

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UMC5NTR
UMC5NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 30毫安、100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.52164

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.52164

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UMD3NFHATR
UMD3NFHATR
晶体管类别: NPN+PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥2.23009

40

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.23009

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EMB2T2R
EMB2T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

5923

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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UMD25NTR
UMD25NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥3.47659

15795

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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IMD2AT108
IMD2AT108
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥0.23105

11

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23105

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UMD12NTR
UMD12NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.18252

40

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18252

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EMH11T2R
EMH11T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.16297

734

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16297

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UMD9NTR
UMD9NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.66200

97

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.66200

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UMG9NTR
UMG9NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.22308

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22308

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UMD22NFHATR
UMD22NFHATR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥2.11240

80

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.11240

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EMH2T2R
EMH2T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.56400

6205

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.56400

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UMH4NFHATN
UMH4NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥3.18688

5995

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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FMA4AT148
FMA4AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥3.18688

503

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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DTA014TEBTL
DTA014TEBTL
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

¥0.21533

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥645.99300

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EMG2T2R
EMG2T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥0.24698

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24698

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IMH9AT110
IMH9AT110
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥3.33173

5136

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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IMD10AT108
IMD10AT108
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: SMT6

¥0.46427

390

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.46427

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FMG1AT148
FMG1AT148
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥2.37784

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,133.53200

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