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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UMG6NTR
UMG6NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.51903

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,557.07800

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IMB5AT108
IMB5AT108
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50V 供应商设备包装: SMT6

¥0.85931

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.85931

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UMB4NTN
UMB4NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.51903

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,557.07800

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IMD23T108
IMD23T108
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥2.11493

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.11493

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UMB3NTN
UMB3NTN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

¥0.23757

900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23757

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IMH24T110
IMH24T110
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 600毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 300mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: SMT6

¥2.91165

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.91165

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UMA4NTR
UMA4NTR
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

¥0.60696

175

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.60696

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UMD5NTR
UMD5NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW、120mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.34331

28

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34331

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UMF28NTR
UMF28NTR
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、150毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz、140MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.62361

150

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.62361

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UMB2NTN
UMB2NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.27885

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.27885

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UMG11NTR
UMG11NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥1.71874

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.71874

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UMH1NTN
UMH1NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

¥2.60744

74

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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UMA2NTR
UMA2NTR
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.22670

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22670

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IMB11AT110
IMB11AT110
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥0.62955

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,888.65900

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FMG6AT148
FMG6AT148
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥0.63571

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,907.12700

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IMH3AT110
IMH3AT110
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥0.40976

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.40976

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UMH4NTN
UMH4NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

¥0.19411

987

2-3 工作日

- +

合计: ¥582.33000

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UMH2NTN
UMH2NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.66200

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.66200

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UMD2NFHATR
UMD2NFHATR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥3.18688

94

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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EMB4T2R
EMB4T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.70481

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,638.45600

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