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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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数量
操作
UMH11NFHATN
UMH11NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.39039

30

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39039

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UMH37NTN
UMH37NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 400毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150mW 特征频率: 35MHz 供应商设备包装: UMT6

¥1.21384

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,641.51400

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UMH9NFHATN
UMH9NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥3.18688

2464

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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UMH33NTN
UMH33NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 400毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150mW 特征频率: 35MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.65611

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,968.33900

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EMG5T2R
EMG5T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥0.47678

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.47678

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EMB10T2R
EMB10T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.74392

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,951.34400

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EMD3T2R
EMD3T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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EMD9FHAT2R
EMD9FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.75230

2491

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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EMD9T2R
EMD9T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.40370

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.40370

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IMD9AT108
IMD9AT108
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥0.42226

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.42226

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EMD2FHAT2R
EMD2FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.82473

7839

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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EMB11FHAT2R
EMB11FHAT2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.82473

4680

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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UMG8NTR
UMG8NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.44399

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.44399

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IMD16AT108
IMD16AT108
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥0.37518

244

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.37518

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EMD22T2R
EMD22T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.25350

78

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25350

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FMA5AT148
FMA5AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥0.54019

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.54019

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EMA8T2R
EMA8T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: EMT5

¥1.59363

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.59363

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UMF21NTR
UMF21NTR
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 12V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz、260MHz 供应商设备包装: UMT6

¥2.52950

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.52950

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EMD29T2R
EMD29T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 12V 最大功率: 120兆瓦 特征频率: 250MHz、260MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.89716

5835

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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EMB9T2R
EMB9T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥1.37360

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37360

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