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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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数量
操作
UMG3NTR
UMG3NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.17383

1500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.17383

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FMA2AT148
FMA2AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥2.96959

2874

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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UMB10NTN
UMB10NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.25785

146

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.25785

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UMG2NTR
UMG2NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.19266

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19266

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UMB11NTN
UMB11NTN
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.19918

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19918

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EMH25FHAT2R
EMH25FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.01096

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.01096

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UMG4NTR
UMG4NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.39413

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.39413

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EMD22FHAT2R
EMD22FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.39337

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39337

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UMH2NFHATN
UMH2NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.31145

130

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.31145

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EMD6FHAT2R
EMD6FHAT2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.99575

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.99575

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IMB3AT110
IMB3AT110
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥2.96959

1975

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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UMH9NTN
UMH9NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.23829

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23829

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EMB11T2R
EMB11T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

80

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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EMD2T2R
EMD2T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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EMD30T2R
EMD30T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

¥3.54902

5210

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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FMG3AT148
FMG3AT148
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥0.24046

360

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24046

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UMD22NTR
UMD22NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.30203

358

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.30203

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FMA1AT148
FMA1AT148
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT5

¥3.04202

2621

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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IMD6AT108
IMD6AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

¥0.60985

150

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.60985

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IMH4AT110
IMH4AT110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

¥0.81777

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,453.32200

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