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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
UMH1NFHATN
UMH1NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥3.18688

4560

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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UMH10NFHATN
UMH10NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥3.18688

2725

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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EMG11T2R
EMG11T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5

¥3.33173

11030

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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EMF5T2R
EMF5T2R
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 12V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz、260MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.92485

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.92485

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EMB52T2R
EMB52T2R
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.46259

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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EMB53T2R
EMB53T2R
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.46259

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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EMH51T2R
EMH51T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥0.33836

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.33836

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EMB60T2R
EMB60T2R
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.46259

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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EMD72T2R
EMD72T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.46259

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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UMG5NTR
UMG5NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.55408

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55408

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IMH8AT108
IMH8AT108
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥1.98156

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.98156

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UMC2NTR
UMC2NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.28103

2000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.28103

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EMH15T2R
EMH15T2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥1.63714

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.63714

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UMA6NTR
UMA6NTR
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥1.44942

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44942

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UMC3NTR
UMC3NTR
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥2.85395

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.85395

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IMD14T108
IMD14T108
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥1.72441

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.72441

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UMH25NFHATN
UMH25NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.55266

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.55266

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EMH1FHAT2R
EMH1FHAT2R
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥2.75230

15619

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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UMF23NTR
UMF23NTR
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、150毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz、140MHz 供应商设备包装: UMT6

¥1.42275

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.42275

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UMG7NTR
UMG7NTR
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT5

¥0.68836

9000

5-7 工作日

- +

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