品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: TUMT5 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.90611 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,718.34200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.00676 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.00676 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥23.03242 | 80 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.03242 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 165W（Tc） 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥145.22015 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥145.22015 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.36895 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.36895 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 262W（Tc） 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥270.95689 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥270.95689 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.29432 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,735.78750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 245W（Tc） 供应商设备包装: LPTS 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.36416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.36416 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SST3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.15862 | 64 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15862 | 立即购买 加入购物车 | |
 | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT | ¥3.04202 | 2029 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.28732 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.28732 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.62821 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,570.53250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP | ¥1.55599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,889.98000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.24290 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.24290 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥19.91798 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.91797 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: EMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥33.28837 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.28837 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.30420 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥912.60600 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.73734 | 14 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,343.34000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.11445 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 |