品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.01160 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,034.79400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.24241 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,106.02750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 50W (Ta) 供应商设备包装: TO-263S 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 | ¥1.29670 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,890.08800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 304W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥47.58585 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.58585 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥51.06245 | 12 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.06245 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥51.49702 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.49702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.10245 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.10245 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.54422 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.07405 | 13 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.07405 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 2.23W（Ta），40W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.50490 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,252.45150 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.38606 | 33 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.38606 | 立即购买 加入购物车 | |
 | MOSFET N-CH 200V 20A LPTS | ¥8.68322 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,683.22300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 250V 12A LPT | ¥8.83634 | 900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.83634 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.52705 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,317.62000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.06543 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.06543 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 93W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.76553 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.76553 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、21A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），15W（Tc） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.97814 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,934.40800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.65479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,964.35500 | 添加到BOM 立即询价 |