特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RQ1E100XNTR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 3.01159 | 9034.79400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.01160
-
数量:
- +
- 总计: ¥9,034.79
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Ta）
- 供应商设备包装 TSMT8
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000 pF@10 V
- 最大功耗 550mW (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.7 nC@5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 10.5毫欧姆@10A，10V
- 色彩/颜色 White
RQ1E100XNTR 产品详情
MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中，包括紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场需求。
RQ1E100XNTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RQ1A060ZPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 |
 | RQ1E075XNTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.57703 |
 | RQ1E070RPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.75568 |
 | RQ1A070ZPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.03962 |
 | RQ1A070APTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.3537 |
 | RQ1C065UNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | RQ1E050RPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.22333 |
 | RQ1C075UNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.38122 |
| RQ1E100XNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.0116 |
RQ1E100XNTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RQ1E100XNTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQ1E100XNTR价格参考￥3.011598，你可以下载 RQ1E100XNTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQ1E100XNTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
