特色
- 低压（1.5V）驱动类型
- Pch小信号MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RQ1A060ZPTR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.30132 | 6.30132 |
| 10+ | 5.57703 | 55.77033 |
| 100+ | 4.27331 | 427.33110 |
| 500+ | 3.37808 | 1689.04450 |
| 1000+ | 2.70247 | 2702.47100 |
| 3000+ | 2.44911 | 7347.34200 |
| 6000+ | 2.30324 | 13819.45200 |
- 库存: 37035
- 单价: ¥6.30132
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.30
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
- 最大功耗 700mW (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 23毫欧姆@6A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2800 pF @ 6 V
- 供应商设备包装 TSMT8
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
RQ1A060ZPTR 产品详情
MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中，包括紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场需求。
RQ1A060ZPTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| RQ1A060ZPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 |
 | RQ1E075XNTCR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.57703 |
 | RQ1E070RPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.75568 |
 | RQ1A070ZPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.03962 |
 | RQ1A070APTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.3537 |
 | RQ1C065UNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | RQ1E050RPTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.22333 |
 | RQ1C075UNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.38122 |
 | RQ1E100XNTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 550mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.0116 |
RQ1A060ZPTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RQ1A060ZPTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQ1A060ZPTR价格参考￥6.301323，你可以下载 RQ1A060ZPTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQ1A060ZPTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
