NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源管理产品组合,包括多种电源和电池管理解决方案。NXP产品为全球范围内的建筑解决方案提供动力和连接,帮助提高人们、组织和全世界的能力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.37375 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 263W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.31533 | 640 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.65271 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.82233 | 750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.76391 | 242 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,120.86598 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta) 最大功耗: 99W(Ta) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 10760 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 6270 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.16413 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Ta) 最大功耗: 96W(Ta) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 1470 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.46259 | 63000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.46344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL MOSFET | ¥0.36215 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,068.32775 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.36215 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,810.72500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 385mW (Ta), 4W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.36215 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,776.68337 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 324W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.34334 | 338 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.34179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.43457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,303.72200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.43457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.95883 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.43457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥367.21503 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.50221 | 4904 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,184.45864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.9A(Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,100.44100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,810.94229 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,811.01472 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 8.3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,811.01472 | 添加到BOM 立即询价 |