品牌介绍
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根，每年运送900多亿种产品，符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准，具有业界领先的小型封装，可节省宝贵的能源和空间。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.29240 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,923.96000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.29240 | 37520 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,923.96000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.29240 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,923.96000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥2.67987 | 441 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.30674 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,067.37000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.21729 | 6999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,520.79171 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥2.67987 | 120 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 320毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥3.04202 | 428 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.30372 | 606 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.30372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.16738 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,673.83000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥2.67987 | 2620 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | PDTA143XMB - PNP RESISTOR-EQUIPP | ¥0.14486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 340毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: dfn110d-3 | ¥1.95558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.95558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 340毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: dfn110d-3 | ¥1.95558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.95558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 340毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: dfn110d-3 | ¥1.95558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.95558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 340毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: dfn110d-3 | ¥1.95558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.95558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 340毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: dfn110d-3 | ¥1.95558 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.95558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.34295 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.34295 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.67261 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.67261 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 360毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412D-3 | ¥2.02801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.02801 | 添加到BOM 立即询价 |