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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
PBRP123ET,215
PBRP123ET,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥2.67987

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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PDTB113ET,215
PDTB113ET,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.39554

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,186.60500

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PDTB123TT,215
PDTB123TT,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.39554

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,186.60500

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PDTC123TU,115
PDTC123TU,115
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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NHDTC144ETVL
NHDTC144ETVL
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥1.52101

9890

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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PDTA123TU,115
PDTA123TU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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PDTA143XU,115
PDTA143XU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥187.59111

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PDTA144VU,115
PDTA144VU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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PDTB113EQAZ
PDTB113EQAZ
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.41154

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,057.71000

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PDTA143TU,115
PDTA143TU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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PDTA144WU,115
PDTA144WU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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PDTB114EQAZ
PDTB114EQAZ
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.41154

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,057.71000

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PDTC144TU,115
PDTC144TU,115
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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PDTB123EQAZ
PDTB123EQAZ
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.41154

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,057.71000

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PDTB123YQAZ
PDTB123YQAZ
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.41154

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,057.71000

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PDTA115TU,115
PDTA115TU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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NHDTA114ETR
NHDTA114ETR
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: TO-236AB

¥1.52101

2985

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52101

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PDTB143EQAZ
PDTB143EQAZ
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.41154

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,057.71000

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PDTA115EU,115
PDTA115EU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.24083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥722.47800

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PDTB143XQAZ
PDTB143XQAZ
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 325毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3

¥0.41154

0

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- +

合计: ¥2,057.71000

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