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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
PDTA123TT,235
PDTA123TT,235
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,425.40272

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PDTA123TT,215
PDTA123TT,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.21338

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥640.12800

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PDTC143TT,235
PDTC143TT,235
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥0.16738

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,673.83000

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PDTA143XT,215
PDTA143XT,215
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB

¥1.23129

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.23129

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PDTB113EUX
PDTB113EUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTB123EUX
PDTB123EUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTB123YUX
PDTB123YUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTB143EUX
PDTB143EUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTB143XUX
PDTB143XUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 140兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTD113EUX
PDTD113EUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTD123EUX
PDTD123EUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTD143EUX
PDTD143EUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTD143XUX
PDTD143XUX
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 225兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.48209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PDTA144EU,135
PDTA144EU,135
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.18890

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,888.95000

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PDTC143XU,115
PDTC143XU,115
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.37615

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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PDTC114YUF
PDTC114YUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥459.19986

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PDTA143ZU,115
PDTA143ZU,115
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥1.37615

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37615

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PDTC115EUF
PDTC115EUF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 供应商设备包装: SOT-323

¥0.18890

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,888.95000

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PDTA124EU,135
PDTA124EU,135
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.18890

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,888.95000

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PDTC143TU,135
PDTC143TU,135
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323

¥0.18890

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,888.95000

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