品牌介绍
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根，每年运送900多亿种产品，符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准，具有业界领先的小型封装，可节省宝贵的能源和空间。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.19599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,959.93000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.37615 | 55 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.37615 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 397680 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.59344 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883 | ¥0.27407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,740.71000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883 | ¥0.27407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,740.71000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883 | ¥0.27407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,740.71000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: SOT-883 | ¥0.27407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,740.71000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 240000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3 | ¥0.35469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,773.42500 | 添加到BOM 立即询价 |