Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 149W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.59152 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.59152 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 272W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥39.01026 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.01026 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 272W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.89572 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.89572 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥27.92862 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.92862 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 103W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.90013 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.90013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.88032 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.88032 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.25595 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.25595 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 54A (Tc) 最大功耗: 118W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥34.65003 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.65003 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 106W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.84219 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.84219 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.49885 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.49885 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.9A(Tc) 最大功耗: 6.9W (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥45.67373 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.67373 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,810.72500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DFN3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.27139 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.27139 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 8.3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.51381 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.51381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V DPAK | ¥14.22506 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.22506 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH LFPAK5 POWER-SO8 | ¥40.25604 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.25604 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH LFPAK33 | ¥34.24443 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.24443 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.58240 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.58240 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.77552 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta), 8.33W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.51813 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.51813 | 添加到BOM 立即询价 |