品牌介绍
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根，每年运送900多亿种产品，符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准，具有业界领先的小型封装，可节省宝贵的能源和空间。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 510mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.23330 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.23330 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 290mW（Ta），1.67W（Tc） 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥64.04172 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.04172 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | BUK9Y2R8-40H - N-CHANNEL 40V, LO | ¥53.68438 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.68438 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Ta） 最大功耗: 115W（Ta） 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.11406 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.11406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 8W (Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.08548 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.08548 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥42.99385 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.99385 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥15.03626 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.03626 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥19.36752 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.36752 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 228A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.05363 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,810.72500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 181A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.06571 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.06571 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.27W (Ta), 15W (Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.39601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.39601 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Ta) 最大功耗: 106W（Ta） 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥58.30535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.30535 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tj) 最大功耗: 296W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 375A (Ta) 最大功耗: 375W (Ta) 供应商设备包装: LFPAK88（SOT1235） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.35936 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.35936 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥1.44858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Ta） 最大功耗: 480mW (Ta), 4.17W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.57799 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.57799 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 | ¥8.66251 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.66251 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 | ¥58.91375 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.91375 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V LFPAK | ¥79.15041 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.15041 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.29470 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.29470 | 添加到BOM 立即询价 |