Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tj) 最大功耗: 263W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥49.09238 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.09238 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 263W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥52.74280 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.74280 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 263W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.01938 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.01938 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET DFN1006-3 | ¥66.34496 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.34496 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.01506 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.01506 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.69637 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.69637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 930毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.00633 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.00633 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.92958 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.92958 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 650毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.15023 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.15023 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.52A(Ta) 最大功耗: 417mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥46.74568 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.74568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.4A(Tc) 最大功耗: 41.1W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥66.21459 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.21459 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.03827 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.03827 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.05075 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.05075 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥33.33183 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.33183 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 293W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.08404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,813.04273 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.16663 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.16663 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.59833 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.59833 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,271.12895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 349W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.25691 | 30226 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.25691 | 添加到BOM 立即询价 |