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品牌介绍

Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售,加上在全球25个地点的运营,包括工程、测试、制造和客户服务,使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。

英文全称: Diodes Incorporated

中文全称: 达尔科技

英文简称: Diodes rporated

品牌地址: http://www.diodes.com/

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DDTC144GKA-7-F
DDTC144GKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.97007

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.97007

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DDTC123TE-7
DDTC123TE-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.67987

5781

5-7 工作日

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合计: ¥2.67987

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DDTC115EE-7-F
DDTC115EE-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.12941

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.12941

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DDTC144VKA-7-F
DDTC144VKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.83970

9000

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合计: ¥1.83970

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DDTA115GCA-7-F
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

¥1.52101

1298

5-7 工作日

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合计: ¥1.52101

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DDTC122LU-7-F
DDTC122LU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.92709

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.92709

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DDTC144WKA-7-F
DDTC144WKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.52890

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.52890

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DDTA144GUA-7
DDTA144GUA-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.72429

4450

5-7 工作日

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合计: ¥0.72429

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DDTC122TU-7-F
DDTC122TU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.94158

1915

5-7 工作日

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合计: ¥0.94158

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DDTD113EU-7-F
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.88847

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.88847

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DDTA115GUA-7
DDTA115GUA-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.72429

5145

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DDTA113ZUA-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

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DDTC125TE-7-F
DDTC125TE-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥1.81604

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DDTD114EU-7-F
DDTD114EU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.04396

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DDTA115ECA-7
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TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

¥2.96959

1452

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合计: ¥2.96959

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DDTC113TCA-7
DDTC113TCA-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.20232

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DDTC125TUA-7-F
DDTC125TUA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.18784

9000

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DDTD114GC-7-F
DDTD114GC-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.07343

9000

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DDTC114TE-7
DDTC114TE-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.67987

3600

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DDTA123TUA-7
DDTA123TUA-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

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