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品牌介绍

Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售,加上在全球25个地点的运营,包括工程、测试、制造和客户服务,使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。

英文全称: Diodes Incorporated

中文全称: 达尔科技

英文简称: Diodes rporated

品牌地址: http://www.diodes.com/

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描述
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DDTC142TE-7-F
DDTC142TE-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.31773

2006

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.31773

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DDTD114GU-7-F
DDTD114GU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.81654

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.81654

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DDTA144EE-7
DDTA144EE-7
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.67987

8049

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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DDTA115EUA-7
DDTA115EUA-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.43972

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.43972

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DDTD114TC-7-F
DDTD114TC-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.41479

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.41479

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DDTC142TU-7-F
DDTC142TU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.82521

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.82521

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DDTC114GUA-7
DDTC114GUA-7
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

¥0.72429

1753

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DDTA123YCA-7
DDTA123YCA-7
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥2.96959

3001

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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DDTD122LC-7-F
DDTD122LC-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.78746

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.78746

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DDTD122JC-7-F
DDTD122JC-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥2.04250

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.04250

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ADTA114ECAQ-7
ADTA114ECAQ-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.39075

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,172.24100

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DDTA143TCA-7
DDTA143TCA-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

¥0.72429

1884

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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DRDNB26W-7
DRDNB26W-7
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-363

¥1.35710

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.35710

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DDTD122JU-7-F
DDTD122JU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.06698

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.06698

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ADTC114ECAQ-7
ADTC114ECAQ-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.34544

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,036.32900

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DDTC122LE-7
DDTC122LE-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.67987

6767

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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DRDPB16W-7
DRDPB16W-7
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-363

¥1.27193

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.27193

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DDTD123EU-7-F
DDTD123EU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.41961

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.41961

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ADTC143TCAQ-7
ADTC143TCAQ-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 310 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.39025

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,170.74100

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DRDPB26W-7
DRDPB26W-7
晶体管类别: PNP-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-363

¥0.97505

9000

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