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品牌介绍

Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售,加上在全球25个地点的运营,包括工程、测试、制造和客户服务,使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。

英文全称: Diodes Incorporated

中文全称: 达尔科技

英文简称: Diodes rporated

品牌地址: http://www.diodes.com/

久芯自营
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DDTA124GKA-7-F
DDTA124GKA-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.32058

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.32058

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DDTA125TE-7-F
DDTA125TE-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥1.79126

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.79126

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DDTA143EKA-7-F
DDTA143EKA-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥0.51871

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.51871

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DDTA143TKA-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.30745

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.30745

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DDTA143XKA-7-F
DDTA143XKA-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥0.96377

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.96377

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DDTA144EKA-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.12989

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合计: ¥1.12989

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DDTA144GKA-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.54998

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5-7 工作日

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合计: ¥1.54998

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DDTA144WKA-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥2.14390

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.14390

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DDTB113ZU-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥2.15838

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.15838

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DDTB114EU-7-F
DDTB114EU-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.65138

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.65138

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DDTB114GC-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.97327

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.97327

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DDTB114TC-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.85917

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.85917

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DDTB114TU-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.56447

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.56447

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DDTB122JC-7-F
DDTB122JC-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥2.16583

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.16583

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DDTB122JU-7-F
DDTB122JU-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥0.49273

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.49273

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DDTB123EU-7-F
DDTB123EU-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.83970

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.83970

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DDTB123TC-7-F
DDTB123TC-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.70498

9000

5-7 工作日

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合计: ¥0.70498

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DDTB123TU-7-F
DDTB123TU-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.84740

9000

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合计: ¥1.84740

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DDTB133HC-7-F
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晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥1.40932

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合计: ¥1.40932

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DDTB133HU-7-F
DDTB133HU-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥1.90215

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