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品牌介绍

Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售,加上在全球25个地点的运营,包括工程、测试、制造和客户服务,使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。

英文全称: Diodes Incorporated

中文全称: 达尔科技

英文简称: Diodes rporated

品牌地址: http://www.diodes.com/

久芯自营
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DDTB143EC-7-F
DDTB143EC-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.40560

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.40560

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DDTB143TC-7-F
DDTB143TC-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.75483

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.75483

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DDTC113ZKA-7-F
DDTC113ZKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.34446

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.34446

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DDTC114GKA-7-F
DDTC114GKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥2.22164

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.22164

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DDTC114TKA-7-F
DDTC114TKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥0.92709

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.92709

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DDTC114WKA-7-F
DDTC114WKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥0.63985

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.63985

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DDTC114YKA-7-F
DDTC114YKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.17335

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.17335

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DDTC115EKA-7-F
DDTC115EKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥0.94361

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.94361

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DDTC123TKA-7-F
DDTC123TKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.30372

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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DDTC123YKA-7-F
DDTC123YKA-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-59-3

¥1.36540

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.36540

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DDTD122TU-7-F
DDTD122TU-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323

¥2.39016

3353

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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DDTC142JE-7-F
DDTC142JE-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.31773

4469

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.31773

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DDTC122LE-7-F
DDTC122LE-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.46259

13977

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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DDTC143ZLP-7
DDTC143ZLP-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: X1-DFN1006-3

¥0.25350

1500

2-3 工作日

- +

合计: ¥760.50600

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DDTA114YLP-7
DDTA114YLP-7
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: X1-DFN1006-3

¥0.93108

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,793.22500

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DDTD142JC-7-F
DDTD142JC-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3

¥0.23467

140

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23467

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DDTC113TLP-7
DDTC113TLP-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: X1-DFN1006-3

¥0.93108

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,793.22500

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DDTC113TE-7-F
DDTC113TE-7-F
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.53502

77875

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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DDTC144ELP-7
DDTC144ELP-7
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: X1-DFN1006-3

¥1.12453

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,373.59900

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DDTA114WE-7-F
DDTA114WE-7-F
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-523

¥2.67987

2480

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合计: ¥2.67987

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