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品牌介绍

Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售,加上在全球25个地点的运营,包括工程、测试、制造和客户服务,使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。

英文全称: Diodes Incorporated

中文全称: 达尔科技

英文简称: Diodes rporated

品牌地址: http://www.diodes.com/

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描述
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DGTD120T40S1PT
DGTD120T40S1PT
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.44587

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13,700.64195

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DGTD65T60S2PT
DGTD65T60S2PT
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.96065

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,082.29070

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DGTD65T50S1PT
DGTD65T50S1PT
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.74565

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥9,335.54250

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DGTD65T40S2PT
DGTD65T40S2PT
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.41755

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥12,787.89615

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DGTD65T15H2TF
DGTD65T15H2TF
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 48 W 供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.25562

900

2-3 工作日

- +

合计: ¥11.25562

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DGTD120T25S1PT
DGTD120T25S1PT
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 348 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.41486

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,686.68835

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