起订量: 450
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DGTD120T40S1PT | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥30.44587 |
 | DGTD65T40S1PT | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 341 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.09956 |
 | DGTD65T60S2PT | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.96065 |
 | DGTD65T50S1PT | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.74565 |
 | DGTD65T40S2PT | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.41755 |
 | DGTD65T15H2TF | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 48 W 供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.25562 |
 | DGTD120T25S1PT | 达尔科技 (Diodes rporated) | IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 348 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.41486 |
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
