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DGTD65T60S2PT
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DGTD65T60S2PT

  • 描述:IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 450

  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.96065
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8,082.29
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 最大整流电流 (Icm) 180 A
  • 供应商设备包装 TO-247
  • 最大集电极电流 (Ic) 100 A
  • IGBT型 场截止
  • 门电荷 95 nC
  • 最大功率 428 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 60A
  • 部件状态 上次购买
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 开关能量 920J(开),530J(关闭)
  • 开通/关断延时 (25°C) 42ns/142ns
  • 试验条件 400V, 60A, 7欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 205纳秒

DGTD65T60S2PT 产品详情

DGTD65T60S2PT所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),DGTD65T60S2PT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DGTD65T60S2PT价格参考¥17.960646,你可以下载 DGTD65T60S2PT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DGTD65T60S2PT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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