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DGTD65T40S1PT
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DGTD65T40S1PT

  • 描述:IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 341 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 450

数量 单价 合计
450+ 23.09956 10394.80380
  • 库存: 0
  • 单价: ¥23.09956
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10,394.80
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 最大整流电流 (Icm) 160 A
  • 供应商设备包装 TO-247
  • IGBT型 场截止
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 40A
  • 试验条件 400V, 40A, 7.9欧姆, 15V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功率 341 W
  • 开关能量 1.15mJ(开),350J(关闭)
  • 门电荷 219 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 58ns/245ns
  • 反向恢复时长 (trr) 145纳秒

DGTD65T40S1PT 产品详情

DGTD65T40S1PT所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),DGTD65T40S1PT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DGTD65T40S1PT价格参考¥23.099564,你可以下载 DGTD65T40S1PT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DGTD65T40S1PT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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