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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN4983FE,LXHF(CT
RN4983FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1910FE,LXHF(CT
RN1910FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4601(TE85L,F)
RN4601(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

708

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1904FE,LXHF(CT
RN1904FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2607(TE85L,F)
RN2607(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

694

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2511(TE85L,F)
RN2511(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.47659

2980

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1908FE,LXHF(CT
RN1908FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4904FE,LXHF(CT
RN4904FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1707,LF
RN1707,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥2.24530

8985

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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RN1965(TE85L,F)
RN1965(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

2965

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1909FE,LXHF(CT
RN1909FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2701,LF
RN2701,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.01111

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.01111

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RN2906FE,LXHF(CT
RN2906FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2504(TE85L,F)
RN2504(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.16466

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.16466

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RN4611(TE85L,F)
RN4611(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.47659

2895

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1701,LF
RN1701,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥2.24530

7361

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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RN4989FE,LXHF(CT
RN4989FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4984(T5L,F,T)
RN4984(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.01401

2110

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.01401

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RN1706,LF
RN1706,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07702

90

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.07702

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RN4985FE,LXHF(CT
RN4985FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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