东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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标称齐纳电压 (Vz): 24伏 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.25086 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,752.57400 | 立即购买 加入购物车 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 39伏 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.34609 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,038.27900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥3.91117 | 43 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 33伏 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥1.52873 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52873 | 添加到BOM 立即询价 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 47伏 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥1.40512 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.40512 | 添加到BOM 立即询价 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥1.60792 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.60792 | 添加到BOM 立即询价 | ||
标称齐纳电压 (Vz): 18伏 最大功率: 700 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: S-FLAT (1.6x3.5) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥1.81073 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.81073 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥4.15743 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.15743 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥513.71717 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥513.71717 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥625.41717 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥625.41717 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥101.23923 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥101.23923 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥125.20077 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥125.20077 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥0.35316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,059.49200 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.24530 | 4072 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.24530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 2999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.02801 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.34766 | 39 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34766 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.12120 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.12120 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 NPN(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥2.60744 | 3785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.60744 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.10744 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.10744 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.08788 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,351.53600 | 立即购买 加入购物车 |