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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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描述
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2SA1873-GR(TE85L,F
2SA1873-GR(TE85L,F
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.56567

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.56567

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HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ESV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.82473

3594

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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HN1C01FYTE85LF
HN1C01FYTE85LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.46259

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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HN1C03FU-B,LF
HN1C03FU-B,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.82473

2645

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.08257

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥247.70700

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HN1A01FE-GR,LF
HN1A01FE-GR,LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.44146

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,765.82000

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HN4A56JU(TE85L,F)
HN4A56JU(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.24361

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,730.81800

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HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.11445

2680

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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HN4A51JTE85LF
HN4A51JTE85LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.06495

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.06495

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HN2C01FU-Y(TE85L,F
HN2C01FU-Y(TE85L,F
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.40416

2820

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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2SA1873-Y(TE85L,F)
2SA1873-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.60744

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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2SA1618-Y(TE85L,F)
2SA1618-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.54902

2079

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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HN2C01FU-GR(T5L,F)
HN2C01FU-GR(T5L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.47659

8619

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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HN1C03FU-A(TE85L,F
HN1C03FU-A(TE85L,F
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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RN2901,LXHF(CT
RN2901,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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RN4988,LXHF(CT
RN4988,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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RN4981,LXHF(CT
RN4981,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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RN2910,LXHF(CT
RN2910,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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RN4603(TE85L,F)
RN4603(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: SM6

¥0.54829

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.54829

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RN1711JE(TE85L,F)
RN1711JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥1.39860

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,594.41600

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