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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN1511(TE85L,F)
RN1511(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1970(TE85L,F)
RN1970(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2901FE(TE85L,F)
RN2901FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.60744

2100

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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RN2608(TE85L,F)
RN2608(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2502(TE85L,F)
RN2502(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.47659

44

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1961(TE85L,F)
RN1961(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

35

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2505TE85LF
RN2505TE85LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.17770

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.17770

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RN1911FETE85LF
RN1911FETE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.75230

3635

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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MT3S16U(TE85L,F)
MT3S16U(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 60毫安 集电极击穿电压: 5V 最大功率: 100mW 特征频率: 4GHz 供应商设备包装: SC-70

¥1.81073

4232

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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2SC5087-O(TE85L,F)
2SC5087-O(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 80毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150mW 特征频率: 7GHz 供应商设备包装: SMQ

¥1.88315

1222

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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RN4984FE,LXHF(CT
RN4984FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

3980

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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2SC2714-O(TE85L,F)
2SC2714-O(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 100mW 特征频率: 550MHz 供应商设备包装: S-Mini

¥3.25931

3657

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 100mW 特征频率: 550MHz 供应商设备包装: SC-70

¥1.96427

70

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.96427

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2SC4915-Y,LF
2SC4915-Y,LF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 100mW 特征频率: 550MHz 供应商设备包装: SSM

¥6.88499

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.88499

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2SC5065-Y(TE85L,F)
2SC5065-Y(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 100mW 特征频率: 7GHz 供应商设备包装: SC-70

¥1.62458

80

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.62458

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HN1C01FU-Y,LF
HN1C01FU-Y,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥1.88315

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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RN49A2,LF(CT
RN49A2,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97127

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RN4985,LF(CT
RN4985,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.10044

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN4984FE,LF(CT
RN4984FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.10044

70

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1910,LF(CT
RN1910,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.00314

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.00314

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