品牌介绍
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.52101 | 2880 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.52101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 50 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥1.49204 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.49204 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.52101 | 1934 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥0.34114 | 558 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34114 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.52101 | 1785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥0.75471 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.75471 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥1.63690 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.63690 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.66587 | 2033 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.66587 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.44858 | 60 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 30兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.73830 | 2355 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73830 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥1.06343 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.06343 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥1.47755 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.47755 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.76727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.76727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.65959 | 6 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.65959 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 19423 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度 | ¥1.38050 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.38050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta) 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度 | ¥1.74844 | 89 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.74844 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.23636 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.23636 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.34790 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.34790 | 立即购买 加入购物车 |