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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN1606(TE85L,F)
RN1606(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.18688

390

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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RN2903FE,LXHF(CT
RN2903FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2601(TE85L,F)
RN2601(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.25931

253

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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RN4910FE,LXHF(CT
RN4910FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1502(TE85L,F)
RN1502(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.23347

100

2-3 工作日

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合计: ¥1.23347

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RN1510(TE85L,F)
RN1510(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.25931

146

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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RN2910FE,LXHF(CT
RN2910FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4903FE,LXHF(CT
RN4903FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4988FE,LXHF(CT
RN4988FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1903FE,LXHF(CT
RN1903FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1702JE(TE85L,F)
RN1702JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

3229

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2905FE,LXHF(CT
RN2905FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4908FE,LXHF(CT
RN4908FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1704JE(TE85L,F)
RN1704JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.40416

682

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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RN2907,LF(CT
RN2907,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97852

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97852

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RN2911FE,LXHF(CT
RN2911FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1701JE(TE85L,F)
RN1701JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

12940

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2902,LF(CT
RN2902,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.93868

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.93868

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RN2901FE,LXHF(CT
RN2901FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4607(TE85L,F)
RN4607(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.47659

845

5-7 工作日

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