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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN4604(TE85L,F)
RN4604(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

1830

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2906,LF
RN2906,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.10044

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1705,LF
RN1705,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.06688

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.06688

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RN2901,LF(CT
RN2901,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97127

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RN4609(TE85L,F)
RN4609(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

1333

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1610(TE85L,F)
RN1610(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

1310

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2711,LF
RN2711,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07702

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.07702

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RN2606(TE85L,F)
RN2606(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

1030

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1906FE,LF(CT
RN1906FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.31789

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,271.56400

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RN2903FE(TE85L,F)
RN2903FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.53502

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2909FE(TE85L,F)
RN2909FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.53502

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN4989(TE85L,F)
RN4989(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.53502

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN4988(TE85L,F)
RN4988(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.53502

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1602(TE85L,F)
RN1602(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥2.82473

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2709JE(TE85L,F)
RN2709JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2711JE(TE85L,F)
RN2711JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2712JE(TE85L,F)
RN2712JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2906FE(TE85L,F)
RN2906FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.46259

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN2713JE(TE85L,F)
RN2713JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1908(T5L,F,T)
RN1908(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.46259

2986

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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