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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN2510(TE85L,F)
RN2510(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.15597

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.15597

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RN1909(T5L,F,T)
RN1909(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.46259

2960

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN1963(TE85L,F)
RN1963(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1604(TE85L,F)
RN1604(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥2.46259

1668

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN1968(TE85L,F)
RN1968(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2908FE(TE85L,F)
RN2908FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.53502

3997

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1908FE(TE85L,F)
RN1908FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.53502

3945

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN4990(TE85L,F)
RN4990(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.53502

2990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1964TE85LF
RN1964TE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.53502

2840

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN2702TE85LF
RN2702TE85LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: 5-SSOP

¥1.42487

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.42487

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RN2706JE(TE85L,F)
RN2706JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥0.55278

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,211.11200

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RN1507(TE85L,F)
RN1507(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.23636

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.23636

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RN2911FE(TE85L,F)
RN2911FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.60744

3975

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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RN1909FE(TE85L,F)
RN1909FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.60744

3950

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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RN1605TE85LF
RN1605TE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥2.60744

242

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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RN1703JE(TE85L,F)
RN1703JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥1.40440

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.40440

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RN1902,LF(CT
RN1902,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.14221

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.14220

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RN1511(TE85L,F)
RN1511(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1970(TE85L,F)
RN1970(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2901FE(TE85L,F)
RN2901FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.60744

2100

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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