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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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描述
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RN2964(TE85L,F)
RN2964(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

2855

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1902FE,LF(CT
RN1902FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.00097

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.00097

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RN4982FE,LF(CT
RN4982FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.02801

3018

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN2507(TE85L,F)
RN2507(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.54902

2800

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN4902FE,LF(CT
RN4902FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.02801

2958

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN2962(TE85L,F)
RN2962(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

2760

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2503(TE85L,F)
RN2503(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.54902

2708

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN4608(TE85L,F)
RN4608(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

2689

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2702,LF
RN2702,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥0.40922

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.40922

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RN2602(TE85L,F)
RN2602(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

2630

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN4902,LF(CT
RN4902,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.10044

2934

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1601(TE85L,F)
RN1601(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

2602

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2705,LF
RN2705,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.01908

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.01908

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RN2961(TE85L,F)
RN2961(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

2383

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN4983FE,LF(CT
RN4983FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.10044

2783

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1905FE,LF(CT
RN1905FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.02801

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN4989(T5L,F,T)
RN4989(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.17287

2760

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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RN4901FE,LF(CT
RN4901FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.87494

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.87494

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RN2707JE(TE85L,F)
RN2707JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.54902

1845

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1910FE,LF(CT
RN1910FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97127

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