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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN2604(TE85L,F)
RN2604(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.47659

1115

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1902,LXHF(CT
RN1902,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.67987

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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RN1905,LXHF(CT
RN1905,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.67987

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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RN1503(TE85L,F)
RN1503(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.62096

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.62096

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RN2703JE(TE85L,F)
RN2703JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.47659

12003

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1706JE(TE85L,F)
RN1706JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.25931

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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RN2603(TE85L,F)
RN2603(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.47659

12000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2605(TE85L,F)
RN2605(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥1.63400

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.63400

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RN2704JE(TE85L,F)
RN2704JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.54902

3996

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1911FE,LF(CT
RN1911FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.81073

3980

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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RN2701JE(TE85L,F)
RN2701JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.54902

3695

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2710JE(TE85L,F)
RN2710JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.54902

3611

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2965(TE85L,F)
RN2965(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

2998

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2708JE(TE85L,F)
RN2708JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.54902

2990

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN1609(TE85L,F)
RN1609(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

2975

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2610(TE85L,F)
RN2610(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

2945

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN4905FE,LF(CT
RN4905FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.91550

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.91550

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RN1608(TE85L,F)
RN1608(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.54902

2891

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2963(TE85L,F)
RN2963(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

2889

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN4987FE,LF(CT
RN4987FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.02801

3288

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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