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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN4908,LXHF(CT
RN4908,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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RN2909,LXHF(CT
RN2909,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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RN1963FE(TE85L,F)
RN1963FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.72429

915

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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RN1965FE(TE85L,F)
RN1965FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.72429

156

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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RN4907FE,LF(CT
RN4907FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.98938

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.98938

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RN1907FE,LF(CT
RN1907FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.97127

75

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97127

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RN1903,LF(CT
RN1903,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.02801

485

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN4986(T5L,F,T)
RN4986(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.17287

553

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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RN1905(T5L,F,T)
RN1905(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.46259

681

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN1904FE,LF(CT
RN1904FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.14003

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.14003

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RN2506(TE85L,F)
RN2506(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.23636

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.23636

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RN2967(TE85L,F)
RN2967(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2969(TE85L,F)
RN2969(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2971(TE85L,F)
RN2971(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN4907,LXHF(CT
RN4907,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.58113

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.58113

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RN2906,LXHF(CT
RN2906,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.56809

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.56809

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RN4987,LXHF(CT
RN4987,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.56809

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.56809

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RN2911,LXHF(CT
RN2911,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.56881

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.56881

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RN2904,LXHF(CT
RN2904,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.56809

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.56809

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RN4986,LXHF(CT
RN4986,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.33173

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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