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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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描述
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RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.47707

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.47707

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RN1903FE,LF(CT
RN1903FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.88146

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,525.84400

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RN2906FE,LF(CT
RN2906FE,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.88146

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,525.84400

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RN4988FE,LF(CT
RN4988FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.87494

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,499.76800

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RN1970FE(TE85L,F)
RN1970FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.06817

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.06817

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RN4991FE,LF(CT
RN4991FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.31789

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,271.56400

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RN1971FE(TE85L,F)
RN1971FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.64887

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.64887

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RN4985FE,LF(CT
RN4985FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.83293

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.83293

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RN4989FE,LF(CT
RN4989FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.83293

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.83293

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RN1911(T5L,F,T)
RN1911(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.51062

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.51062

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RN1908,LF(CT
RN1908,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,913.81900

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RN1911,LF(CT
RN1911,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.99300

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,979.00600

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RN2909,LF(CT
RN2909,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97852

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,935.54800

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RN2904FE(T5L,F,T)
RN2904FE(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.37302

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37302

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RN2910,LF(CT
RN2910,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMQ

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,913.81900

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RN4903,LF(CT
RN4903,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,913.81900

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RN4908,LF(CT
RN4908,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97852

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,935.54800

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RN4909,LF(CT
RN4909,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97852

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,935.54800

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RN4911,LF(CT
RN4911,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.97852

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,935.54800

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RN1909,LF(CT
RN1909,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.91550

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.91550

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