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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
RN2908,LF(CT
RN2908,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.92130

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.92130

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RN1966FE(TE85L,F)
RN1966FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.75230

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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RN1703,LF
RN1703,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07557

185

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,226.71300

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RN1709,LF
RN1709,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.08499

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,254.95800

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RN1710,LF
RN1710,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07557

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,226.71300

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RN1711,LF
RN1711,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07557

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,226.71300

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RN2703,LF
RN2703,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.06688

75

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,200.63700

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RN2704,LF
RN2704,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07557

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,226.71300

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RN2708,LF
RN2708,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.06688

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,200.63700

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RN2709,LF
RN2709,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.07557

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,226.71300

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RN4991(T5L,F,T)
RN4991(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.38851

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,165.52700

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RN1704,LF
RN1704,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.01690

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.01690

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RN1708,LF
RN1708,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: USV

¥1.01111

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.01111

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RN2707,LF
RN2707,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥1.01908

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.01908

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RN4902FE(TE85L,F)
RN4902FE(TE85L,F)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.60097

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.60097

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RN1905,LF
RN1905,LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.60961

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.60961

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RN2903,LF
RN2903,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.66032

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66032

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RN2905,LF(CT
RN2905,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,913.81900

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RN1901,LF(CT
RN1901,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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RN2905FE,LF(CT
RN2905FE,LF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,412.65600

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