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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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描述
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RN4906,LXHF(CT
RN4906,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.58113

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.58113

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RN4982FE,LXHF(CT
RN4982FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1907FE,LXHF(CT
RN1907FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2907FE,LXHF(CT
RN2907FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4907FE,LXHF(CT
RN4907FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN4902FE,LXHF(CT
RN4902FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.48552

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.48552

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RN4906FE,LXHF(CT
RN4906FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.48552

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.48552

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RN2902FE,LXHF(CT
RN2902FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

7995

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1902T5LFT
RN1902T5LFT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.14438

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.14438

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RN4987FE,LXHF(CT
RN4987FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

7990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1906FE,LXHF(CT
RN1906FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1906(T5L,F,T)
RN1906(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.21875

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.21875

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RN1902FE,LXHF(CT
RN1902FE,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1961FE(TE85L,F)
RN1961FE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.62436

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.62436

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RN4990FE,LXHF(CT
RN4990FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

4000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN2711(TE85L,F)
RN2711(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: 5-SSOP

¥1.27548

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.27547

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RN4988(T5L,F,T)
RN4988(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.51633

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.51633

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RN1907,LXHF(CT
RN1907,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.67987

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.67987

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RN4990(T5L,F,T)
RN4990(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥1.54273

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.54273

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RN1901,LXHF(CT
RN1901,LXHF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.64921

62

2-3 工作日

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合计: ¥1.64921

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