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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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描述
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操作
RN2608(TE85L,F)
RN2608(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2502(TE85L,F)
RN2502(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.47659

44

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN1961(TE85L,F)
RN1961(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥3.54902

35

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2505TE85LF
RN2505TE85LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.17770

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.17770

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RN1911FETE85LF
RN1911FETE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.75230

3635

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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RN4984FE,LXHF(CT
RN4984FE,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.82473

3980

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN49A2,LF(CT
RN49A2,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥0.97127

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97127

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RN4985,LF(CT
RN4985,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.10044

30

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN4984FE,LF(CT
RN4984FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥2.10044

70

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RN1910,LF(CT
RN1910,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.00314

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.00314

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RN1907,LF(CT
RN1907,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥0.19701

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19701

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RN1710JE(TE85L,F)
RN1710JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥2.96959

3968

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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RN1708JE(TE85L,F)
RN1708JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥2.96959

3890

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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RN1709JE(TE85L,F)
RN1709JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥2.96959

3873

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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RN1707JE(TE85L,F)
RN1707JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV

¥2.96959

3471

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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RN1901FETE85LF
RN1901FETE85LF
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.41237

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.41237

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RN4602TE85LF
RN4602TE85LF
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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RN1508(TE85L,F)
RN1508(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMV

¥3.54902

50

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2705JE(TE85L,F)
RN2705JE(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: ESV

¥3.54902

75

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2710,LF
RN2710,LF
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: USV

¥2.24530

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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