Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH | ¥72.41451 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.41451 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥58.82683 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.82683 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.61137 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.61137 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、39A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、26W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.13526 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.13526 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、29A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 25W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.34190 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.34190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 24A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.66107 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Ta), 50A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥33.05660 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.05660 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥71.61780 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.61780 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、12A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 12.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.80545 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.80545 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~155摄氏度(TJ) | ¥17.84651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.84651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 75A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 34W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.95759 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.95759 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.01923 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.01923 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta), 42A (Tc) 最大功耗: 1.92W(Ta),150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.21489 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、127A(Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta)、417W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.84651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.84651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.65090 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.65090 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.90253 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.90253 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 245W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.30669 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.30669 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥33.21594 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.21594 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.32934 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.32934 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥68.98138 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.98138 | 添加到BOM 立即询价 |