品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥77.02100 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.02100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V SC70-3 | ¥75.63036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.63036 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.06183 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.06183 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、37W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥57.63900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.63900 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 60V 8DFN | ¥83.35562 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.35562 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40毫安 (Ta) 最大功耗: 1.39W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23A-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80903 | 493 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.80903 | 立即购买 加入购物车 | |
| | MOSFET N-CH 30V 8DFN | ¥56.14696 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.14696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.31005 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.31005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、85A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta），83W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.35207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.35207 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.86003 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.86003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.64994 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.64994 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥29.82626 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.82626 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.59833 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.59833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、65A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、83W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.66395 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.66395 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥52.48205 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.48205 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.8W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.51381 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.51381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 26A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），35W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.96431 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.96431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.92325 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.92325 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、20A（Tc） 最大功耗: 1.6W（Ta）、27W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥82.82980 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥82.82980 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥98.25718 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.25718 | 添加到BOM 立即询价 |