品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 32.2W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.60217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.60217 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、32W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥52.67037 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.67037 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.49069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.49069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta），18.8W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.55535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.55535 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.47036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.47036 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A (Ta), 170A (Tc) 最大功耗: 2.3W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.23091 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.23091 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.33816 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.33816 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.21057 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.21057 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.15704 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.15704 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT MODULE IPM 3 PHASE | ¥50.59086 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,553.17740 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 69 W 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.34200 | 4181 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.34200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 25瓦 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.42978 | 934 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.42978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.22650 | 255 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.44378 | 875 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.44378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.81993 | 133 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.81993 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 3.7W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥91.17363 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥91.17363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A（Ta）、36A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.27724 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.27724 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 | ¥11.70453 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.70453 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥68.11223 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.11223 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.83682 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.83682 | 添加到BOM 立即询价 |